等离子体化学气相沉积技术（PCVD）优势介绍！
文章导读：等离子体化学气相沉积技术（PCVD）是等离子体的一种应用方向，在：半导体、计算机、光学仪器、电子器件、新能源电池、传感器等提供多样的表面处理方案，那么等离子体化学气相沉积技术（PCVD）有哪些独特之处呢？
等离子体化学气相沉积技术（PCVD）是等离子体的一种应用方向，在：半导体、计算机、光学仪器、电子器件、新能源电池、传感器等提供多样的表面处理方案，那么等离子体化学气相沉积技术（PCVD）有哪些独特之处呢？
一、什么是气相沉积工艺？
工艺主要用于物体表面涂层处理，在绝缘材料、金属材料、金属合金材料等表面进行处理；也就是通入两种及两种以上的气态原材料进入反应室，两者发生化学反应形成一种新的材料，沉积在晶体的表面；如：沉积氮化硅膜(Si3N4)，就是由硅烷和氮反应形成。
二、等离子体化学气相沉积技术（PCVD）优势在哪？
1、PCVD可以在低温下成膜，如沉积 TiC、Ti（CN）、TiN 和 SizN的反应温度可分别在700K、550K、520K 和530K下进行；常规的气相沉积需要在1200K、1000K、900K 和1200K下进行。
2、PCVD工艺可以减少薄膜和衬底热膨胀系数不匹配而造成的内应力。
可以大大减小由于薄膜和衬底热膨胀系数不匹配所造成的内应力、
3、PCVD工艺可以解决气体工艺难以处理的物质，如：TCVD下反应速率极慢的污渍，可以采用PCVD工艺进行处理。
三、等离子体化学气相沉积技术（PCVD）有哪些不足呢？
PCVD往往倾向于在薄膜中造成压应力，这种压力在涂层较厚的时候，有一定肯定造成开裂或者剥落；某些脆弱衬底在等离子体轰击下会被损伤；同时等离子体会在表面发生改性作用，如果产品无需活性变化，这就不利，会降低抗腐蚀性和抗辐射能力。
目前等离子体化学气相沉积技术（PCVD）已经得到了广泛的应用，如果你有需求，欢迎联系我们进行试样哦！
工艺主要用于物体表面涂层处理，在绝缘材料、金属材料、金属合金材料等表面进行处理；也就是通入两种及两种以上的气态原材料进入反应室，两者发生化学反应形成一种新的材料，沉积在晶体的表面；如：沉积氮化硅膜(Si3N4)，就是由硅烷和氮反应形成。
二、等离子体化学气相沉积技术（PCVD）优势在哪？
1、PCVD可以在低温下成膜，如沉积 TiC、Ti（CN）、TiN 和 SizN的反应温度可分别在700K、550K、520K 和530K下进行；常规的气相沉积需要在1200K、1000K、900K 和1200K下进行。
2、PCVD工艺可以减少薄膜和衬底热膨胀系数不匹配而造成的内应力。
可以大大减小由于薄膜和衬底热膨胀系数不匹配所造成的内应力、
3、PCVD工艺可以解决气体工艺难以处理的物质，如：TCVD下反应速率极慢的污渍，可以采用PCVD工艺进行处理。
PCVD往往倾向于在薄膜中造成压应力，这种压力在涂层较厚的时候，有一定肯定造成开裂或者剥落；某些脆弱衬底在等离子体轰击下会被损伤；同时等离子体会在表面发生改性作用，如果产品无需活性变化，这就不利，会降低抗腐蚀性和抗辐射能力。
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